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IPB027N10N3G(UMW)
扩展库- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 厂家型号
- IPB027N10N3G(UMW)
- 商品编号
- C19185922
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.002104千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):69pF,导通电阻(RDS(on)):2.7mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):206nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):14800pF,输出电容(Coss):2580pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@275uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 14800pF | |
| 输出电容(Coss) | 2580pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@275uA |
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