反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@2.5V,4A,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):540pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 100pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V,4A | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 540pF | |
输出电容(Coss) | 120pF | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |