反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):0.205Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):46nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:-,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):2030pF,输出电容(Coss):83pF,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.205Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 2030pF | |
| 输出电容(Coss) | 83pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.1/个 |
| 10+ | ¥16.16/个 |
| 30+ | ¥14.32/个 |
| 100+ | ¥12.44/个 |
| 500+ | ¥11.59/个 |
| 800+ | ¥11.22/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.333
800 PCS/盘
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