反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):9Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):37.8W,输入电容(Ciss):125pF,输出电容(Coss):21.3pF,连续漏极电流(Id):1.3A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 37.8W | |
输入电容(Ciss) | 125pF | |
输出电容(Coss) | 21.3pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |