STD13N60M6实物图
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STD13N60M6

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品牌名称
ST(意法半导体)
厂家型号
STD13N60M6
商品编号
C3277920
商品封装
DPAK(TO-252)
商品毛重
0.000437千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):4.2pF,导通电阻(RDS(on)):380mΩ@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):92W,输入电容(Ciss):509pF,输出电容(Coss):34.4pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4.75V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)4.2pF
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
工作温度-40℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
漏源电压(Vdss)600V
类型N沟道
耗散功率(Pd)92W
输入电容(Ciss)509pF
输出电容(Coss)34.4pF
连续漏极电流(Id)10A
阈值电压(Vgs(th))4.75V@250uA

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