反向传输电容(Crss):17.6pF,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):2330pF,输出电容(Coss):916pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 17.6pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 96W | |
输入电容(Ciss) | 2330pF | |
输出电容(Coss) | 916pF | |
连续漏极电流(Id) | 65A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |