反向传输电容(Crss):18pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V,1.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):8.7nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):200pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,1.9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 25W | |
输入电容(Ciss) | 200pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |