反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):8.9mΩ@4.5V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):55W,输入电容(Ciss):1350pF,连续漏极电流(Id):58A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@4.5V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 55W | |
输入电容(Ciss) | 1350pF | |
连续漏极电流(Id) | 58A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V |