反向传输电容(Crss):65pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,5.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):570pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V,5.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
耗散功率(Pd) | 42W | |
输入电容(Ciss) | 570pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |