反向传输电容(Crss):31pF,导通电阻(RDS(on)):94mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):985pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):20A,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):4.6V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.22/个 |
| 10+ | ¥6.1/个 |
| 30+ | ¥6.01/个 |
| 100+ | ¥5.93/个 |
| 102+ | ¥5.93/个 |
| 104+ | ¥5.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4556
2500 PCS/盘
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