反向传输电容(Crss):31pF,导通电阻(RDS(on)):94mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):985pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):20A,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):4.6V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 31pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 100W | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 985pF | |
输出电容(Coss) | 90pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@250uA |