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STD12N60DM2AG
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD12N60DM2AG
- 商品编号
- C495234
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000531千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):3.7pF@100V,导通电阻(RDS(on)):430mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):614pF@100V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 614pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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