反向传输电容(Crss):3.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.29Ω@6V,3.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11.8nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):509pF,输出电容(Coss):51.2pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.29Ω@6V,3.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 83W | |
输入电容(Ciss) | 509pF | |
输出电容(Coss) | 51.2pF | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.00026/个 |
10+ | ¥0.977/个 |
30+ | ¥0.961/个 |
100+ | ¥0.946/个 |
102+ | ¥0.946/个 |
104+ | ¥0.946/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.946
2500 PCS/盘