反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@10V,15A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,15A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |