反向传输电容(Crss):68pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.4mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):96nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):6700pF@25V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V,80A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 227W | |
输入电容(Ciss) | 6700pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |