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FDD3860
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD3860
- 商品编号
- C903564
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00047千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):70pF@50V,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@10V,5.9A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):31nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):69W,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):1740pF@50V,连续漏极电流(Id):29A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,5.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 1740pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.96/个 |
| 10+ | ¥9.21/个 |
| 30+ | ¥8.12/个 |
| 100+ | ¥7/个 |
| 500+ | ¥6.49/个 |
| 1000+ | ¥6.27/个 |
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