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IPD15N06S2L64ATMA2
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD15N06S2L64ATMA2
- 商品编号
- C672174
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00065千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):64mΩ@10V,13A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):47W,输入电容(Ciss):354pF@25V,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V,13A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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