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TJ10S04M3L(T6L1,NQ
扩展库- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 厂家型号
- TJ10S04M3L(T6L1,NQ
- 商品编号
- C20247120
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000437千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):44mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):27W,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3V@1mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
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