反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@10V,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):80W,输入电容(Ciss):490pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):4.4V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 80W | |
输入电容(Ciss) | 490pF | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V@1mA |