射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):300MHz,直流电流增益(hFE):100,耗散功率(Pd):200mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):200mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0599/个 |
| 500+ | ¥0.0459/个 |
| 3000+ | ¥0.0397/个 |
| 6000+ | ¥0.035/个 |
| 24000+ | ¥0.0331/个 |
| 51000+ | ¥0.0319/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.03652
3000 PCS/盘
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