射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):450,耗散功率(Pd):250mW,集射极击穿电压(Vceo):20V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.25V,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):2.5A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 450 | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.25V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 2.5A |