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BSS806NH6327-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- BSS806NH6327-HXY
- 商品编号
- C20606241
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000018千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):53mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.9W,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
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