反向传输电容(Crss):146pF@10V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@1.8V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):1160pF@10V,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 146pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@1.8V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 1160pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |