温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
GC2M0080120K
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC2M0080120K
- 商品编号
- C21547377
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.008667千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):36A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
19.53 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车