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SCTWA60N120G2-4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- SCTWA60N120G2-4
- 商品编号
- C3281096
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.0082千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ,工作温度:-55℃~+200℃,栅极电荷量(Qg):94nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):388W,输入电容(Ciss):1969pF,输出电容(Coss):113pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 388W | |
| 输入电容(Ciss) | 1969pF | |
| 输出电容(Coss) | 113pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥200.46/个 |
| 3+ | ¥181.15/个 |
| 5+ | ¥181.15/个 |
| 30+ | ¥172.25/个 |
| 34+ | ¥172.25/个 |
| 36+ | ¥172.25/个 |
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