反向传输电容(Crss):16pF,导通电阻(RDS(on)):11.3mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):178nC,栅极电荷量(Qg):178nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):750W,输入电容(Ciss):5703pF,输出电容(Coss):268pF,连续漏极电流(Id):202A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 输入电容(Ciss) | 5703pF | |
| 输出电容(Coss) | 268pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 202A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |