反向传输电容(Crss):6.7pF,导通电阻(RDS(on)):90mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):55nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):123W,输入电容(Ciss):1053pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):23A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 123W | |
| 输入电容(Ciss) | 1053pF | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥72.28/个 |
| 10+ | ¥70.25/个 |
| 12+ | ¥70.25/个 |
| 14+ | ¥70.25/个 |
| 16+ | ¥63.69/个 |
| 18+ | ¥63.69/个 |
整盘
单价
整盘单价¥58.5948
30 PCS/盘
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