漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):416W,连续漏极电流(Id):120A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥131.31/个 |
| 3+ | ¥131.31/个 |
| 5+ | ¥131.31/个 |
| 30+ | ¥124.8/个 |
| 32+ | ¥124.8/个 |
| 34+ | ¥124.8/个 |
整盘
单价
整盘单价¥115.0301
30 PCS/盘
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