漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):416W,连续漏极电流(Id):120A
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 416W | |
连续漏极电流(Id) | 120A |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥142.79/个 |
3+ | ¥142.79/个 |
5+ | ¥142.79/个 |
30+ | ¥136.25/个 |
32+ | ¥136.25/个 |
34+ | ¥136.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥125.35
30 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉327元