漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):326W,连续漏极电流(Id):66A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 326W | |
连续漏极电流(Id) | 66A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥62.21/个 |
10+ | ¥54.13/个 |
30+ | ¥49.21/个 |
90+ | ¥45.08/个 |
92+ | ¥45.08/个 |
94+ | ¥45.08/个 |
整盘
单价
整盘单价¥45.2732
30 PCS/盘
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