反向传输电容(Crss):7.1pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):88nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):228W,输入电容(Ciss):2897pF,输出电容(Coss):88pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 228W | |
| 输入电容(Ciss) | 2897pF | |
| 输出电容(Coss) | 88pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥60.77/个 |
| 10+ | ¥59.47/个 |
| 30+ | ¥53/个 |
| 90+ | ¥52.13/个 |
| 92+ | ¥52.13/个 |
| 94+ | ¥52.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥48.76
30 PCS/盘
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