漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):556W,连续漏极电流(Id):115A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 556W | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥214.56/个 |
| 3+ | ¥214.56/个 |
| 5+ | ¥214.56/个 |
| 30+ | ¥203.16/个 |
| 32+ | ¥203.16/个 |
| 34+ | ¥203.16/个 |
整盘
单价
整盘单价¥201.4
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