反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):65mΩ,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@20V,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1000V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):113.5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):32A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@20V | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 1000V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 113.5W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |