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1200 V碳化硅沟槽MOSFET

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
厂家型号: IMZA120R030M1HXKSA1
商品编号: C20191549
商品封装: TO-247-4
商品毛重: 0.00884千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):68nC,栅极电荷量(Qg):68nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):273W,输入电容(Ciss):2160pF,输出电容(Coss):99pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	14pF
导通电阻(RDS(on))	30mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	68nC
栅极电荷量(Qg)	68nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	273W
输入电容(Ciss)	2160pF
输出电容(Coss)	99pF
连续漏极电流(Id)	70A
阈值电压(Vgs(th))	4.2V

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12+	¥89.9/个
14+	¥89.9/个
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18+	¥89.9/个

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