反向传输电容(Crss):10.8pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):110.8nC,栅极电荷量(Qg):110.8nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):2692pF,输出电容(Coss):179pF,连续漏极电流(Id):72A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110.8nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110.8nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 输入电容(Ciss) | 2692pF | |
| 输出电容(Coss) | 179pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |