反向传输电容(Crss):10.8pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):110.8nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):2692pF,连续漏极电流(Id):72A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 110.8nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 348W | |
输入电容(Ciss) | 2692pF | |
连续漏极电流(Id) | 72A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |