导通电阻(RDS(on)):25mΩ,导通电阻(RDS(on)):14mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):10.8W,连续漏极电流(Id):14A,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |