反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.619/个 |
| 50+ | ¥0.492/个 |
| 150+ | ¥0.427/个 |
| 500+ | ¥0.374/个 |
| 2500+ | ¥0.354/个 |
| 5000+ | ¥0.341/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.319
5000 PCS/盘
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