导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,8A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):44W,连续漏极电流(Id):38A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,8A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0627/个 |
| 50+ | ¥0.836/个 |
| 150+ | ¥0.739/个 |
| 500+ | ¥0.618/个 |
| 2500+ | ¥0.537/个 |
| 5000+ | ¥0.504/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.477
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