上升时间(tr):10ns,下降时间(tf):35ns,传播延迟 tpHL:30ns,传播延迟 tpLH:25ns,工作温度:-40℃~+105℃,工作电压:5V~18V,拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):5A,特性:-,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V~1.1V,输入高电平(VIH):2.2V~2.5V,静态电流(Iq):3.5mA,驱动通道数:2,驱动配置:低边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 25ns | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电压 | 5V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.1V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V~2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 3.5mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 低边 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.73/个 |
| 10+ | ¥2.12/个 |
| 30+ | ¥1.85/个 |
| 100+ | ¥1.52/个 |
| 500+ | ¥1.38/个 |
| 1000+ | ¥1.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.29
2500 PCS/盘