C2M0040120D实物图
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C2M0040120D

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品牌名称
FUXINSEMI(富芯森美)
厂家型号
C2M0040120D
商品编号
C22365190
商品封装
TO-247-3
商品毛重
0.008067千克(kg)
包装方式
管装

商品参数

反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):120nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):2440pF,输出电容(Coss):171pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):4V@10mA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)11pF
导通电阻(RDS(on))52mΩ@20V
工作温度-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)120nC
漏源电压(Vdss)1200V
类型N沟道
耗散功率(Pd)278W
输入电容(Ciss)2440pF
输出电容(Coss)171pF
连续漏极电流(Id)55A
阈值电压(Vgs(th))4V@10mA

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整盘

单价

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