反向传输电容(Crss):6.7pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@20V,工作温度:-40℃~+150℃,漏源电压(Vdss):1700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):520W,输入电容(Ciss):3672pF,输出电容(Coss):171pF,连续漏极电流(Id):72A,阈值电压(Vgs(th)):4V@18mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@20V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 1700V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 520W | |
输入电容(Ciss) | 3672pF | |
输出电容(Coss) | 171pF | |
连续漏极电流(Id) | 72A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@18mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥95.43/个 |
3+ | ¥95.43/个 |
5+ | ¥95.43/个 |
30+ | ¥90.635/个 |
32+ | ¥90.635/个 |
34+ | ¥90.635/个 |
整盘
单价
整盘单价¥90.635
30 PCS/盘