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ID:117A VDSS:1200V RDON:33mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC3M0015120K
- 商品编号
- C22449548
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.008767千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):33mΩ,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,连续漏极电流(Id):117A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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