反向传输电容(Crss):14.4pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):151.5nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:-,耗散功率(Pd):357W,输入电容(Ciss):3235pF,输出电容(Coss):145pF,连续漏极电流(Id):71A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 输入电容(Ciss) | 3235pF | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥13.783/个 |
| 10+ | ¥11.83/个 |
| 25+ | ¥10.668/个 |
| 100+ | ¥9.492/个 |
| 500+ | ¥8.946/个 |
| 1000+ | ¥8.701/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.668
25 PCS/盘