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NTH4L028N170M1
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L028N170M1
- 商品编号
- C5209022
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.00853千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):200nC,栅极电荷量(Qg):200nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):535W,输入电容(Ciss):4230pF,输出电容(Coss):200pF,连续漏极电流(Id):81A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.75V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 535W | |
| 输入电容(Ciss) | 4230pF | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.75V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥249.59/个 |
| 3+ | ¥249.59/个 |
| 5+ | ¥249.59/个 |
| 30+ | ¥235.76/个 |
| 32+ | ¥235.76/个 |
| 34+ | ¥235.76/个 |
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整盘单价¥235.76
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