反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):117nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):312W,输入电容(Ciss):2975pF,输出电容(Coss):119pF,连续漏极电流(Id):74A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 12pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 117nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 312W | |
输入电容(Ciss) | 2975pF | |
输出电容(Coss) | 119pF | |
连续漏极电流(Id) | 74A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |