上升时间(tr):70ns,下降时间(tf):40ns,工作温度:-45℃~+125℃,工作电压:3.3V~18V,拉电流(IOH):400mA,灌电流(IOL):650mA,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 70ns | |
下降时间(tf) | 40ns | |
工作温度 | -45℃~+125℃ | |
工作电压 | 3.3V~18V | |
拉电流(IOH) | 400mA | |
灌电流(IOL) | 650mA | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.16/个 |
10+ | ¥2.46/个 |
30+ | ¥2.17/个 |
100+ | ¥1.79/个 |
500+ | ¥1.63/个 |
1000+ | ¥1.53/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.462
2500 PCS/盘
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