反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):71mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.75W,输入电容(Ciss):700pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.75W | |
输入电容(Ciss) | 700pF | |
输出电容(Coss) | 160pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.4/个 |
100+ | ¥0.312/个 |
300+ | ¥0.268/个 |
3000+ | ¥0.235/个 |
6000+ | ¥0.208/个 |
9000+ | ¥0.195/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2162
3000 PCS/盘
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