反向传输电容(Crss):51pF,导通电阻(RDS(on)):1050mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):372pF,输出电容(Coss):94pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):2V@380uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1050mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 372pF | |
| 输出电容(Coss) | 94pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@380uA |