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CEU6861-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- CEU6861-VB
- 商品编号
- C7568873
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000495千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):100pF@25V,导通电阻(RDS(on)):61mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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