反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):225mΩ@10V,0.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@10V,0.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.468/个 |
| 50+ | ¥1.17/个 |
| 150+ | ¥1.0425/个 |
| 500+ | ¥0.883/个 |
| 2500+ | ¥0.73/个 |
| 5000+ | ¥0.688/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.6716
2500 PCS/盘
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