反向传输电容(Crss):0.12nF@30V,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):2.05nF@30V,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.12nF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.0115/个 |
| 10+ | ¥2.394/个 |
| 30+ | ¥2.128/个 |
| 100+ | ¥1.796/个 |
| 500+ | ¥1.653/个 |
| 1000+ | ¥1.482/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.37
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