反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.017Ω@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.017Ω@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |