反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.017Ω@10V,50A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.017Ω@10V,50A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.24/个 |
10+ | ¥10.41/个 |
30+ | ¥9.27/个 |
100+ | ¥7.938/个 |
500+ | ¥7.419/个 |
1000+ | ¥7.193/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.61756
2000 PCS/盘
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